特許

J-GLOBAL ID：200903019540251833

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： 及川 勝之 ,  石原 俊信 ,  八木橋 不二夫 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270579
公開番号（公開出願番号）：特開平8-110635
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】 ポジ型レジストとして例えば遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている上、パターンのT-トップ形状の原因であるPEDや裾引き現象が生じることなく寸法精度に優れ、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【構成】 有機溶剤、アルカリ可溶性樹脂、酸発生剤、更に必要により溶解阻止剤を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料において、下記一般式(1)で示されるピリジン又はその誘導体の塩を配合する。【化1】(但し、式中Rは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基であり、Yはアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸又はハロゲン原子である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるピリジン又はその誘導体の塩を配合したことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(但し、式中Rは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基又はジアルキルアミノ基であり、Yはアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸又はハロゲン原子である。)

IPC (2件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125006   出願人：株式会社東芝