特許
J-GLOBAL ID：200903019544036171
半導体装置およびヒートシンク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005297
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196593
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】高い放熱性能を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ1とヒートシンク本体3の間の絶縁層2として多層構造の複合材料を利用する。第1層(2A)および第3層(2C)には材料にセラミックスを利用して電気的な絶縁を実現する。そして第1層(2A)と第3層(2C)の間の第2層(2B)として、熱伝導性の高いグラファイトを利用して、半導体チップ1から発生した熱を、グラファイト層内で広範囲に拡散してヒートシンク本体3に伝達することで、効率よく放熱することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップと、
前記半導体チップから発生する熱を吸収し放熱するヒートシンクと、
を備え、
前記ヒートシンクは、
ヒートシンク本体と、
前記半導体チップおよび前記ヒートシンク本体と密着し、かつ前記半導体チップおよび前記ヒートシンク本体の間を電気絶縁する絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層は、セラミックス層である第1層および第3層の間に第2層としてのグラファイト層を有する多層構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F036BB01
, 5F036BB21
, 5F036BC22
, 5F036BD13
