特許
J-GLOBAL ID：200903019547354050

化学増幅型レジスト用難溶化層形成防止材料及び防止方法

発明者：
齊田 義弘

齊田 義弘 について

, 
阿部 進翼

阿部 進翼 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-029410
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：
【要約】【課題】 水溶性の導電性高分子膜材料を主要成分とする化学増幅型レジストに影響を与えないレジスト被覆用の難溶化層形成防止方法及びその方法に使用する難溶化層形成防止材料を提供する。【解決手段】 水溶性導電性高分子、フッ素化脂肪族スルホン酸またはフッ素化芳香族スルホン酸、塩基性化合物及び水を含む塗布膜形成材料を使用することを特徴とする化学増幅型レジスト表面に被覆する塗布膜の難溶化層形成防止方法、前記方法で使用される化学増幅型レジスト表面に被覆する塗布膜の難溶化層形成防止材料、前記難溶化層形成防止方法を含むレジストパターン形成方法、及び前記難溶化層形成防止方法により製造されたレジスト膜被覆基板。
請求項（抜粋）：
水溶性導電性高分子、フッ素化脂肪族スルホン酸またはフッ素化芳香族スルホン酸、塩基性化合物及び水を含む塗布膜形成材料を使用することを特徴とする化学増幅型レジスト表面に被覆する塗布膜の難溶化層形成防止方法。
IPC (10件)：
G03F 7/11 501 ,  C09D 5/24 ,  C09D 7/12 ,  C09D165/00 ,  C09D179/02 ,  C09D201/00 ,  C09D201/02 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (11件)：
G03F 7/11 501 ,  C09D 5/24 ,  C09D 7/12 ,  C09D165/00 ,  C09D179/02 ,  C09D201/00 ,  C09D201/02 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 575 ,  H01L 21/30 541 P
Fターム (30件)：
2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  4J038DC001 ,  4J038DJ011 ,  4J038DJ012 ,  4J038GA13 ,  4J038HA156 ,  4J038JB01 ,  4J038JC13 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038MA08 ,  4J038NA02 ,  4J038NA20 ,  4J038PA18 ,  4J038PB11 ,  4J038PC08 ,  5F046JA16 ,  5F046JA27 ,  5F056DA11 ,  5F056DA23
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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