超格子半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250332
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097739
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】発振周波数を設定範囲が従来と比較して広くでき、かつ周波数変動が従来と比較して少ない、発振動作を行う超格子半導体装置を提供する。【解決手段】 2つの電極11,12間に、障壁層21と量子井戸層22とが交互に積層されてなる超格子構造を有する真性半導体i層15をそれぞれn型クラッド層14及び16を介して挟設し、さらにn型キャップ層13とn型バッファ層17を介して挟設するヘテロ接合n-i-n型ダイオード素子である超格子半導体素子10を備え、電極11,12間に直流電源30及び交流電源31によってバイアス電圧を印加し、及び/又は、超格子構造を有する真性半導体i層15にキャリアを励起するレーザ励起光は交流信号で強度変調されたものを用いる。

請求項（抜粋）：

2つの電極間に、障壁層と量子井戸層が交互に積層されてなる超格子構造を有しかつ電子のトンネル効果を有する真性半導体i層である第2の半導体層をそれぞれ第1と第3の半導体層を介して挟設してなる超格子半導体素子を備え、上記2つの電極を介して、上記超格子半導体素子に対して直流電圧に交流電圧を重畳させた所定のバイアス電圧を印加し、かつ、一方の電極側から所定の励起光を用いて光注入を行ってキャリアを励起して動作させることにより、上記超格子半導体素子において発振動作をさせることを特徴とする超格子半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 31/10 , H03B 7/08

FI (3件)：

H01L 33/00 A , H03B 7/08 , H01L 31/10 A

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