半導体製造装置用保持体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276335
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123602
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】ウエハ保持面の均熱性に優れ、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や、Low-kのような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に好適に使用でき、装置全体の小型化が可能な半導体製造装置用保持体を提供する。【解決手段】半導体製造装置用保持体は、抵抗発熱体2を有するセラミックス製のウエハ保持部1と、ウエハ保持部1を支持する支持体4とからなり、ウエハ保持部1の外径が支持体4の外径よりも大きく、且つ支持体4の熱伝導率がウエハ保持部1の熱伝導率よりも低い。ウエハ保持部1と支持体4は接合されていないか、接合されている場合はウエハ保持部1と支持体4の熱膨張率差を2.0×10-6/°C以下とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

抵抗発熱体を有するセラミックス製のウエハ保持部と、ウエハ保持部を支持する支持体とからなり、ウエハ保持部の外径が支持体の外径よりも大きく、且つ支持体の熱伝導率がウエハ保持部の熱伝導率よりも低いことを特徴とする半導体製造装置用保持体。

IPC (6件)：

H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/31 , H05B3/06 , H05B3/20 , H05B3/74

FI (6件)：

H01L21/02 Z , H01L21/31 E , H05B3/06 B , H05B3/20 393 , H05B3/74 , H01L21/30 567

Fターム (35件)：

3K034AA02 , 3K034AA08 , 3K034AA10 , 3K034AA34 , 3K034BB06 , 3K034BB14 , 3K034BC04 , 3K034BC16 , 3K034JA10 , 3K092PP09 , 3K092QA05 , 3K092QB02 , 3K092QB18 , 3K092QB30 , 3K092QB43 , 3K092QB74 , 3K092QB76 , 3K092RF03 , 3K092RF11 , 3K092RF17 , 3K092RF26 , 3K092TT16 , 3K092VV35 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA37 , 5F031MA30 , 5F031NA04 , 5F031PA11 , 5F045AB39 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045EK09 , 5F045EM02 , 5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-278891 出願人：京セラ株式会社

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