半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229125
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】トリミングによって短絡される構成のヒューズは、レーザビームの照射によって上層絶縁膜を除去しないとトリミングが行われないため、レーザビームのエネルギが小さい場合には有効なトリミングができない。【解決手段】下層絶縁膜2上の同一平面上に対向配置される対をなす導電膜3(3A,3B)を形成し、その上に上層絶縁膜4を形成する。導電膜3A,3Bの対向間隔Lは、上層絶縁膜4の膜厚t4よりも小さくする。レーザビームLBのエネルギが小さい場合でも、上層絶縁膜4を浸食して導電膜3に到達することによって両導電膜3A,3Bを溶融して短絡させることが容易であり、有効なトリミングが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下層絶縁膜が形成され、この下層絶縁膜上に同一平面上でかつそれぞれの端部が所要の間隔で対向配置されて対をなす導電膜が形成され、これら導電膜上に上層絶縁膜が形成され、前記導電膜の対向間隔が前記上層絶縁膜の膜厚よりも小寸法に形成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-048856
特開平3-046256
半導体集積回路用ヒューズ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-234166 出願人：日本鋼管株式会社

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