特許

J-GLOBAL ID：200903019575135780

現像処理方法及び現像処理装置

発明者： 青山 亨 ,  岩城 浩之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375545
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178943
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 基板上のリンス液を除去する際において、パターン倒れを防止でき、高スループット化を実現できる現像処理方法及び現像処理装置を提供すること。【解決手段】 レジストパターンが現像されたウェハWを300rpm〜1000rpm、より好ましくは500rpmで回転させながらフッ素を含む有機溶剤43を吐出し、ウェハW上に残存していたリンス液42を有機溶剤43に置換する。このような有機溶剤としては、例えばハイドロフルオロエーテル(HFE)を用いることにより、パターンに対する当該有機溶剤の接触角を70°程度にすることができ、パターン間に生じる引力を極力低減させ、パターン倒れを防止することができる。またHFEは揮発性が高いため、迅速な乾燥処理を行うことができ、スループットの向上が図れる。

請求項（抜粋）：

レジストパターンが現像された基板上にリンス液を供給する工程と、前記リンス液が供給された基板上に、フッ素を含む有機系処理液を供給する工程とを具備することを特徴とする現像処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30

FI (3件)：

G03F 7/30 ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 569 E

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096FA01 ,  2H096GA02 ,  2H096GA17 ,  2H096GA18 ,  2H096GA21 ,  2H096GA29 ,  2H096LA16 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト現像方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016107   出願人：株式会社日立製作所