特許
J-GLOBAL ID:200903050025735741

レジスト現像方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-016107
公開番号(公開出願番号):特開平7-226358
出願日: 1994年02月10日
公開日(公表日): 1995年08月22日
要約:
【要約】【構成】通常の方法に従ってレジストを露光・現像した後、水あるいは水溶液によるリンスを行う工程と、レジストが液体中につかった状態で水あるいは水溶液より比重が大きく、表面張力は小さく、レジストを溶かさず、且つお互いに混じり合わない液体に置換する工程、及び置換液を乾燥させる工程を順次行う。【効果】レジストパターン、特に密集した微細なレジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンのパターン倒れをレジスト形状を劣化させることなく防止できる。
請求項(抜粋):
レジスト膜に所望のパターンを露光し、その後、現像及びリンスを行った後、リンス液を乾燥させて所望のレジストパターンを形成するレジスト現像方法において、水によるリンスを行う工程と、レジストが液体中につかった状態で水より比重が大きく、表面張力は小さく、レジストを溶かさず、且つお互いに混じり合わない液体に置換する工程、及び前記置換液を乾燥させる工程を順次行うことを特徴とするレジスト現像方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/32 501
FI (4件):
H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 576
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-122064   出願人:富士通株式会社
  • 特開平3-083065
  • 特開昭61-013248
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