特許
J-GLOBAL ID：200903019594760423
半導体検査装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-171483
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】従来の半導体検査装置のプローブでは、プローブの精度上の問題等から複数のプローブで一括して複数の半導体装置を検査することが困難であった。【解決手段】シリコン基板の表面に被膜を形成し、フォトリソグラフィ(FR)によるパターニング後にエッチングにより角錐状あるいは円錐状の複数のプローブを形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に被膜を形成し、FRによるパターニング後にエッチングにより梁あるいはダイアフラムを前記プローブ毎に形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に被膜を形成し、FRによるパターニング後にエッチングにより貫通孔を形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に絶縁被膜を形成し、前記絶縁皮膜の表面に金属被膜を形成し、FRによるパターニング後にエッチングにより配線を形成する工程を備えた半導体検査装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の一方側の面に形成された複数のプローブと、前記シリコン基板の他方側の面に形成された複数の電極と、前記複数のプローブと前記複数の電極とを電気的に導通する配線を備えた半導体検査装置の製造方法において、シリコン基板の表面に被膜を形成し、フォトリソグラフィによるパターニング後にエッチングにより角錐状あるいは円錐状の複数のプローブを形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に被膜を形成し、フォトリソグラフィによるパターニング後にエッチングにより梁あるいはダイアフラムを前記プローブ毎に形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に被膜を形成し、フォトリソグラフィによるパターニング後にエッチングにより前記プローブに対応して貫通孔を形成する工程と、被膜を除去後、再びシリコン基板の表面に絶縁被膜を形成し、前記絶縁皮膜の表面に金属被膜を形成し、フォトリソグラフィによるパターニング後にエッチングにより配線を形成する工程を行うことを特徴とする半導体検査装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
2G011AA16
, 2G011AA21
, 2G011AB06
, 2G011AB08
, 2G011AC14
, 2G011AE03
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA56
, 4M106DD01
, 4M106DD03
, 4M106DD04
, 4M106DD09
, 4M106DD10
, 4M106DD11
