特許

J-GLOBAL ID：200903019602164959

ZnO系半導体装置の製造方法及びZnO系半導体装置

発明者： 岡田 智 ,  佐野 道宏 ,  小谷 泰司 ,  堀尾 直史
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-087389
公開番号（公開出願番号）：特開2009-245967
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：

【課題】例えばZnO系半導体発光素子の良好な分割に適したZnO系半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ZnO系半導体装置の製造方法は、ウルツァイト構造を持ち、上面が+C面で下面が-C面であるZnO系半導体部材の-C面にスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、+C面の、スクライブ溝の上方の位置に劈開用部材を押し当てて、ZnO系半導体部材を割るブレーキング工程とを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ウルツァイト構造を持ち、上面が+C面で下面が-C面であるZnO系半導体部材の前記-C面にスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、 前記+C面の、前記スクライブ溝の上方の位置に劈開用部材を押し当てて、ZnO系半導体部材を割るブレーキング工程と を有するZnO系半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/78 G ,  H01L33/00 D ,  H01L21/78 U

Fターム (12件)：

5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA41 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2748354号公報
  
• 特許第2780618号公報
  
• 半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-133897   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• スクライビングツール及びそのホルダ並びに装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-311570   出願人：テクダイヤ株式会社

審査官引用 (1件)

• スクライビングツール及びそのホルダ並びに装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-311570   出願人：テクダイヤ株式会社