半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133897
公開番号（公開出願番号）：特開2002-326895
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：

【要約】【課題】光学的特性に優れたZnO系結晶を提供する。【解決手段】基板上にII-VI族の半導体結晶を成長させる方法であって、(a)基板表面に所定の前処理を行う工程と、(b)前記基板の表面上にII-VI族の半導体結晶をII族原子の極性面で成長する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上にII-VI族の半導体結晶を成長させる方法であって、(a)基板表面に所定の前処理を行う工程と、(b)前記基板の表面上にII-VI族の半導体結晶をII族原子の極性面で成長する工程とを含む半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 33/00 , H01S 5/327

FI (4件)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 33/00 D , H01S 5/327

Fターム (34件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB02 , 5F045HA06 , 5F073AA74 , 5F073CA22 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

II-VI族化合物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-326440 出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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