特許

J-GLOBAL ID：200903019634695581

発光ダイオード構造

発明者： 麥 哲魁 ,  蔡 易宏
出願人/特許権者： 統寶光電股▲分▼有限公司
代理人 (5件)： 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168278
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347677
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 照明設備に応用される両面発光が可能な発光ダイオード構造の提供。【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、発光ダイオードチップ、および容器で構成される。該発光ダイオードチップは、基板、第一部分、第二部分を有する。第一部分、および第二部分は、基板の両面に対称に設けられており、各自の電極は導線を介して外部と接続している。発光ダイオードチップは容器に納められ、基板の上面側、下面側の両方向に発光する。容器は発光ダイオードチップへ接続する両電極とこのチップ自体とで二分され、それぞれの収容空間に蛍光パウダーを充填することにより、容器の両面を発光させることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム層、活性層、p型窒化ガリウム層、表面電極、絶縁層が含まれており、該n型窒化ガリウム層は基板の表面に、該活性層はn型窒化ガリウム層上方の一部表面に、該p型窒化ガリウム層は活性層の上方に、該表面電極はp型窒化ガリウム層の上方に形成されており、前記p電極は表面電極の上方に、n電極はn型窒化ガリウム層の活性層に覆われていない表面に形成され、絶縁層はp電極とn電極の周囲を遮断している構造の第1部分と、基板を挟んで対称に配置され前記第1部分と同じ構造の第2部分とを備えていることを特徴とする発光ダイオードチップ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (3件)：

H01L33/00 M ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 N

Fターム (5件)：

5F041AA12 ,  5F041CA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CB36 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-249020   出願人：株式会社シチズン電子
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-249030   出願人：株式会社シチズン電子