特許

J-GLOBAL ID：200903068318974410

発光ダイオード素子

発明者： 深澤 孝一 ,  宮下 純二 ,  土屋 康介
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077429
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 波長変換型の発光ダイオードを製造するに際して、製造工程の簡略化を図るようにする。【解決手段】 上面にn型半導体13とp型半導体14を成長させたサファイヤ基板12の下面側に蛍光材含有層17をサファイヤ基板12と一体に形成することによって、発光ダイオードの製造時には発光ダイオード素子11を搭載するだけで蛍光材含有層17を配置できるようにし、これによって発光ダイオードの製造工程を簡略化する。

請求項（抜粋）：

上面に半導体を成長させた素子基板の下面側に蛍光材含有層が素子基板と一体に形成されてなることを特徴とする発光ダイオード素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 A

Fターム (16件)：

5F041AA14 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DB03 ,  5F041EE25 ,  5F047AA19 ,  5F047BA12 ,  5F047CA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光装置及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311604   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-222785   出願人：サンケン電気株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-192406   出願人：日本酸素株式会社
• 発光素子及び発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315971   出願人：松下電子工業株式会社