特許

J-GLOBAL ID：200903019635884370

有機薄膜の製造方法

発明者： 内田 博久 ,  杉山 正和 ,  山本 大 ,  出浦 桃子
出願人/特許権者： 国立大学法人信州大学 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： 横沢 志郎 ,  河合 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-148127
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300781
出願日： 2007年06月04日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】良好な生産性をもって、膜質や膜厚、結晶性を制御できる有機薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】アントラセン、テトラセンおよびペンタセンなどのアセン系多環芳香族炭化水素を始めとした種々の有機半導体の有機薄膜を製造するにあたって、溶質溶解温度および溶質溶解圧力で前記有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶解させて超臨界溶質溶解相を得る溶質溶解工程と、当該超臨界溶質溶解相をノズルから基板上に噴射して当該基板上で前記有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する噴射工程とを行う。溶質溶解温度は溶媒の臨界温度以上、溶質溶解圧力は10MPa以上であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶質溶解温度および溶質溶解圧力で有機溶質を超臨界二酸化炭素溶媒相に溶解させて超臨界溶質溶解相を得る溶質溶解工程と、 当該超臨界溶質溶解相をノズルから基板上に噴射して当該基板上で前記有機溶質を析出させて有機薄膜を形成する噴射工程と、を含み、 前記溶質溶解温度は溶媒の臨界温度以上であり、 前記溶質溶解圧力は10MPa以上であることを特徴とする有機薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/312

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/312 Z

Fターム (15件)：

5F058AA03 ,  5F058AC10 ,  5F058AE04 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社