特許

J-GLOBAL ID：200903019637328016

エネルギバンド急変層を有した半導体素子

発明者： 加納 浩之
出願人/特許権者： カナレ電気株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299277
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124443
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】キャリアの反射層として機能する多重周期層の反射率を向上させること。【解決手段】第1層Wと第1層Wよりもバンド幅の広い第2層Bとを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、第1層Wと第2層Vとの境界に、第1層Wと第2層Bの厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられている。δ層により、第1層Wと第2層Bの間のエネルギギャップを急峻とすることができるので、第1層Wと第2層Bとを多重周期で積層した多重周期層の反射率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した多重周期層を有する半導体素子において、前記第1層と前記第2層との境界には、前記第1層と前記第2層の厚さに比べて充分に薄く、エネルギバンドを急変させるδ層が設けられていることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/201 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/34

FI (5件)：

H01L 29/201 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 676 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 31/04 E

Fターム (24件)：

5F040DA01 ,  5F040DA02 ,  5F040DA03 ,  5F040DC01 ,  5F040EE06 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA66 ,  5F051AA08 ,  5F051CB08 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073CA06 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ,及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-223327   出願人：三菱電機株式会社
• 多重量子障壁ゲートトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-131267   出願人：古河電気工業株式会社, 伊賀健一
• 特開平4-355976
  
• 特開平4-355976