反射防止膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田治米登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294593
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130598
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】精密に組成制御をして反射防止膜を製造し、所望の組成の反射防止膜を得る。【構成】基板1とその基板上に形成されるフォトレジスト膜9との間に設けられるSi系反射防止膜8を製造する方法として、まず基板上にアモルファスシリコン等のSi系膜6を形成し、このSi系膜6にO+、N+又はC+等のイオンをイオン注入し、所定の組成の反射防止膜8を製造する。

請求項（抜粋）：

基板とその基板上に形成されるフォトレジスト膜との間に設けられるSi系反射防止膜の製造方法において、基板上のSi系膜にイオン注入することを特徴とする反射防止膜の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-151024
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-013565 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る