特許
J-GLOBAL ID：200903019674553259
ナノチューブの精製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337178
公開番号（公開出願番号）：特開2005-104750
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】ナノチューブ混合物から所望のナノチューブを選択分離するために、ナノチューブ混合物を帯電させ分散し、電界を印加して所望のナノチューブを選択的に移動分離し、電気伝導率範囲を絞ったナノチューブ、特に、半導体性のカーボンナノチューブを簡便な方法で得ることができるナノチューブの精製方法を提供することを目的とする。【解決手段】ナノチューブ精製装置1の電極2の上に電気絶縁性の基板3を具備し、基板3とほぼ平行に対向電極4、対向基板5を対向して設け、基板3の表面に帯電処理工程で帯電させたナノチューブ含有材料6を散布分散し、帯電量検知器8によりナノチューブ含有材料6の帯電量を非接触で測定検知し、電極2と対向電極4の間に、検知した帯電量に応じて調整設定した直流電圧を印加し、電界印加により対向電極4、対向基板5側に帯電した半導体性のカーボンナノチューブを選択的に移動分離させ収集する工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ナノチューブ混合物から所望のナノチューブを得る工程を有するナノチューブの精製方法であって、前記工程が、前記ナノチューブ混合物を少なくとも含むナノチューブ含有材料を帯電させる帯電処理工程と、前記ナノチューブ含有材料を分散する材料分散工程と、前記ナノチューブ含有材料に少なくとも電界を印加する電界印加工程と、前記電界によって移動した前記ナノチューブを分離する分離工程と、を少なくとも含むことを特徴とするナノチューブの精製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G146AA11
, 4G146AA15
, 4G146AA16
, 4G146AB08
, 4G146AC20B
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146BA38
, 4G146CA17
, 4G146CA20
, 4G146DA07
, 4G146DA08
, 4G146DA47
