半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田川幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068747
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】高電圧が印可され大電流が流れても安定な動作を維持することができるバイポーラ型トランジスタを有する半導体装置等を提供する。【解決手段】コレクタ領域45の表面とエピタキシャル成長層37の表面との境界線45aと、コレクタ配線コンタクト部51aとの最小距離(b)が、エミッタ領域43の表面とベース領域41の表面との境界線43aと、エミッタ配線コンタクト部49aとの最小距離(a)以上となるよう設定されている。このため、コレクタ領域45およびエミッタ領域43を形成する工程とコレクタ配線51およびエミッタ配線49を含む配線を形成する配線工程とで位置決めの際のずれが生じたとしても、エミッタ配線コンタクト部49aがエミッタ領域43の範囲内にあるにもかかわらずコレクタ配線コンタクト部51aがコレクタ領域45の範囲外になってしまうという事態を回避することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた第1導電型の基部半導体領域と、基部半導体領域の表面の一部に設けられた第2導電型のベース領域と、ベース領域の表面の一部に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、基部半導体領域の表面の一部にベース領域と所定距離を隔てて設けられた、基部半導体領域より高い不純物濃度の第1導電型のコレクタ領域と、エミッタ領域の表面の範囲内で当該表面に接するように設けられたエミッタ配線コンタクト部と、コレクタ領域の表面の範囲内で当該表面に接するように設けられたコレクタ配線コンタクト部と、を備えたバイポーラ型トランジスタであって、コレクタ領域の表面と基部半導体領域の表面との境界線と、コレクタ配線コンタクト部との最小距離が、エミッタ領域の表面とベース領域の表面との境界線と、エミッタ配線コンタクト部との最小距離以上となるよう設定されたバイポーラ型トランジスタ、を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 29/732

FI (3件)：

H01L 29/72 P , H01L 27/06 321 B , H01L 27/06 321 F

Fターム (15件)：

5F003AP02 , 5F003AP06 , 5F003BA24 , 5F003BC08 , 5F003BE08 , 5F003BH01 , 5F003BH18 , 5F003BP11 , 5F048AA05 , 5F048AA10 , 5F048AC05 , 5F048BF18 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048CA13

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-135459 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-236161
特開昭61-236161

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