特許
J-GLOBAL ID：200903019697331865
マスクおよびパタン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149835
公開番号（公開出願番号）：特開平6-337514
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 半透過部を有するマスクを用いたパタン形成において、その効果を損なわずに半透過部からのウエハ面上での光強度を抑えることによりコントラストの高い正確なパタンを得る。【構成】 マスク基板201に目的のパタンに相当する光透過パタン部205および透過率t<SB>1</SB> を有するパタン周辺の半透過位相シフト部206の他に透過率t<SB>1</SB> より小さい透過率をもつ半遮光または遮光部207を有している。半遮光材または遮光材からなる遮光膜204の透過率は1より小さいものであればよいが、遮光部207では透過率t<SB>1</SB> の半透過材からなる180度位相シフト膜202を通過し、そのうえ遮光膜204を通過するので、結果として遮光部207の透過率をt<SB>2</SB> とすれば、その透過率t<SB>2</SB> は透過率t<SB>1</SB> より小さくなる。透過率に対する関係は次式で表せる。0≦t<SB>2</SB> <t<SB>1</SB> <1
請求項（抜粋）：
0より大きく透過部より小さい透過率と、前記透過部に対して0より大きい位相差とを有する半透過部を少なくとも1個所に有する半透過型位相シフトマスクにおいて、前記半透過部が透過率の異なる少なくとも2つの領域からなることを特徴とするマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
