特許

J-GLOBAL ID：200903019704914510

半導体装置の製造方法

発明者： 浮田 康成 ,  渡邉 尚威 ,  森 郁夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174116
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のサイズと略同等のサイズで、かつ、放熱効率が良好な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ12の一側面にはんだシート5を介して金属板6と積層させた後、減圧プレスにより一体化して積層体ウエハ7を形成する積層体ウエハ形成工程と、積層体ウエハ7をダイシングして個片の積層体チップ7aを形成するダイシング工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの一側面にはんだ材を介して金属板を積層させた後、減圧プレスにより一体化して積層体ウエハを形成する積層体ウエハ形成工程と、前記積層体ウエハをダイシングして個片の積層体チップを形成するダイシング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/34

FI (2件)：

H01L 23/12 501 C ,  H01L 23/34 A

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BE09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ベアチップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-287148   出願人：太陽誘電株式会社