特許
J-GLOBAL ID：200903019705148048
半導体光素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027145
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228995
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】【課題】 温度特性が良好で、優れた高速変調特性を示すEA光変調器を備えた半導体光素子を提供する。【解決手段】 EA-DFB10は、電流ブロック層として設けられたFeドープの高抵抗InP層52からなる半絶縁性埋め込み層で多重量子井戸構造を含むヘテロ接合構造を埋め込んだSI-BH型のGaInAsP系DFBレーザ10Aと、埋込リッジ型EA光変調器10Bとを備える半導体光素子であって、DFBレーザとEA光変調器とを一つのn-InP基板12上に導波方向に同一軸状でモノリシックに集積させたものである。EA光変調器は、AlGaInAs系材料からなるSCH-MQW32と、活性層上に設けられたInP材料層からなる埋め込みリッジ構造50とを備えている。
請求項（抜粋）：
電界吸収型光変調器(以下、EA光変調器と言う)と、EA光変調器の光源として設けられた分布帰還型半導体レーザ素子(以下、DFBレーザと言う)とをモノリシックに集積した半導体光素子において、EA光変調器は、AlGaInAs系材料からなり、光の進行方向に対して垂直な面での光のフィールドの幅より広い幅を有する量子井戸構造活性層を含む化合物半導体積層構造とを備え、DFBレーザは、BH構造として形成されたGaInAsP系材料からなる量子井戸構造活性層を備えていることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
G02F 1/017 503
, H01S 5/026 616
G02F 1/017 503
, H01S 5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079KA18
, 5F073AA22
, 5F073AA53
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AB21
, 5F073CA12
, 5F073CA15
