複合光デバイスとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274267
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326942
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】レーザダイオードと光デバイスとの間の結合効率が良好な複合光デバイスとその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板の(001)面上に第1のクラッド層を介して形成された活性層を含んで構成された第1のメサ半導体層を備えたレーザダイオードと、該(001)面上に第2のクラッド層を介して形成された光導波層を含んで構成された第2のメサ半導体層を備えた光デバイスとが、接続されてなる複合光デバイスであって、上記活性層の一端面と上記光導波層の一端面とを、第2の半導体層をHClの雰囲気で成長させることにより上記第2のクラッド層の膜厚より小さい間隔で互いに対向するよう形成した。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の(001)面上に第1のクラッド層を介して形成された活性層を含んで構成された第1のメサ半導体層を備えたレーザダイオードと、該(001)面上に第2のクラッド層を介して形成された光導波層を含んで構成された第2のメサ半導体層を備えた光デバイスとが、接続されてなる複合光デバイスであって、上記活性層の一端面と上記光導波層の一端面とが、上記第2のクラッド層の膜厚より小さい間隔で互いに対向するよう形成されたことを特徴とする複合光デバイス。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/122 , G02B 6/42 , G02F 1/025

FI (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , G02F 1/025 , G02B 6/12 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積化半導体光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-297242 出願人：沖電気工業株式会社
半導体光デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-179313 出願人：三菱電機株式会社
セグメント化単結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-007521 出願人：アルカテル・エヌ・ブイ

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