特許
J-GLOBAL ID：200903019713742234
薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081815
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094753
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】光リーク電流Ioffを十分に小さく抑え、これにより高いON/OFF電流比を達成する。【構成】薄膜トランジスタ171において、ゲート電極131の輪郭線とドレイン電極141の輪郭線の任意の交点からゲート電極131の輪郭線とソース電極151の輪郭線との交点に至る最短間隔のうち少なくとも一つの間隔が、ゲート電極131の輪郭線のうちドレイン電極141と重なる部分とソース電極151と重なる部分との最短間隔より大きく構成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に配置されたゲート電極,前記ゲート電極上に少なくともゲート絶縁膜および半導体膜を介して積層されたソース電極およびドレイン電極とを具備する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極の輪郭線と前記ドレイン電極の輪郭線の任意の交点から前記ゲート電極の輪郭線と前記ソース電極の輪郭線との交点に至る最短間隔のうち少なくとも一つの間隔が、前記ゲート電極の輪郭線のうち前記ドレイン電極と重なる部分と前記ソース電極と重なる部分との最短間隔より大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 A
