特許

J-GLOBAL ID：200903019715496575

半導体ダイヤモンドの製造方法

発明者： 大石 隆一 ,  中村 好伸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064094
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 ダイヤモンドへの粒子線照射により、確実に半導体ダイヤモンドを得ることが出来る半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド基板8に粒子線を照射して半導体ダイヤモンドを製造する方法において、粒子線を照射する際、ダイヤモンド基板8の温度を300°C以上2000°C以下に保ち、ダイヤモンド基板8の被照射面とダイヤモンド基板8の(001)結晶面とがなす角度を-20°〜+20°とし、かつ粒子線が照射される方向とダイヤモンド基板8の<001>結晶方位とがなす角度を-20°〜+20°とする。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板または基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に粒子線を照射して半導体ダイヤモンドを製造する方法であって、前記粒子線を照射する際、前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の温度を300°C以上2000°C以下に保ち、前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の前記粒子線が照射される面と前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の(001)結晶面とがなす角度を-20°〜+20°とし、かつ前記粒子線が照射される方向と前記ダイヤモンド基板または前記ダイヤモンド薄膜の<001>結晶方位とがなす角度を-20°〜+20°とすることを特徴とする、半導体ダイヤモンドの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/04 ,  C30B 33/04

FI (2件)：

C30B 29/04 N ,  C30B 33/04

Fターム (5件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077FD06 ,  4G077FE11 ,  4G077FH05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186076   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ダイヤモンドへの高温イオン注入の効果