特許

J-GLOBAL ID：200903019734921120

フォトダイオードの製造方法

発明者： 河原 秀明
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320079
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】ダイオードの製造方法において、膜の剥がれやリークを発生させずに、ダイオードの上層の絶縁膜を除去できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型半導体層11の表層部に第2導電型半導体層12を形成してフォトダイオードを形成し、次に、第2導電型半導体層に対してエッチング選択比を有して除去可能なマスク層30を形成する、あるいは、第2導電型半導体層の上層に反射防止膜ARを形成した後、反射防止膜に対してエッチング選択比を有して除去可能なマスク層を形成する。次に、マスク層に対してエッチング選択比を有して除去可能な絶縁層Iをマスク層の上層に形成する。次に、マスク層をエッチングストッパとして、底面がマスク層の上面のみからなる開口部Hを絶縁層に形成し、次に、第2導電型半導体層あるいは反射防止膜、および、絶縁膜に対して選択的に、開口部内に露出した部分のマスク層を除去する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層の主面に第2導電型の第2の半導体層を形成する工程と、上記第2の半導体層上にマスク層を形成する工程と、上記マスク層上に第1の絶縁層を形成する工程と、上記マスク層をストッパとして上記第1の絶縁層をエッチングして上記マスク層上に開口部を形成する第1のエッチング工程と、上記開口部を介して上記マスク層をエッチング除去する第2のエッチング工程とを有するフォトダイオードの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L 21/308 D ,  H01L 31/10 A ,  H01L 21/302 C ,  H01L 27/14 Z

Fターム (33件)：

4M118AA05 ,  4M118AB10 ,  4M118CA05 ,  4M118CA18 ,  4M118CA33 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004DB05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA28 ,  5F043AA33 ,  5F043AA35 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043GG10 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB08 ,  5F049PA07 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049SZ03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-094984   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-208850
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-044897   出願人：富士通株式会社