特許

J-GLOBAL ID：200903033878382243

フォトダイオードの製造方法

発明者： 山崎 浩昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094984
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288261
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】フォトダイオード開口部のレーザ走査に対する出力分布を均一化し、且つ、チップ間のプロセスばらつきを小さくする。【構成】n型のエピタキシャル層3の表面に設けたp型拡散層6の表面に厚さ50nmの第1の窒化シリコン膜9を設けた後、この上に設けた酸化シリコン膜10と窒化シリコン膜12を設け、酸化シリコン膜10をエッチングストッパとして窒化シリコン膜12をエッチングし、しかる後、酸化シリコン膜10を除去することにより、薄い窒化シリコン膜9を残し、CVD法により生ずる膜の均一性の向上をはかる。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板上に形成した逆導電型エピタキシャル層を絶縁分離して島状の素子形成領域を形成する工程と、前記素子形成領域の前記エピタキシャル層の表面に一導電型拡散層を形成し前記拡散層を含む表面に絶縁膜を堆積してパターニングし前記拡散層の表面を露出させる開口部を形成する工程と、前記拡散層を含む表面に厚さ50nmの第1の窒化シリコン膜を堆積する工程と、前記窒化シリコン膜の上に酸化シリコン膜を堆積してパターニングし前記開口部上にのみ残す工程と、前記酸化シリコン膜を含む表面に第2の窒化シリコン膜を堆積した後前記酸化シリコン膜をエッチングストッパとして前記第2の窒化シリコン膜を選択的にエッチングして前記酸化シリコン膜上の前記第2の窒化シリコン膜を除去する工程と、前記酸化シリコン膜を除去し前記開口部の前記拡散層上に前記第1の窒化シリコン膜を残す工程とを含むことを特徴とするフォトダイオードの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/108

FI (5件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/318 C ,  H01L 31/04 F ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 回路内蔵受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182282   出願人：シヤープ株式会社
• 特開平3-180075
  
• 特開昭59-105382
  
• 特開昭63-084169