特許
J-GLOBAL ID：200903019735708781
X線マスク、X線マスクの製造方法およびX線マスクの製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051066
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 寸法精度、位置精度に優れたX線マスクを製造し、それを用いてX線転写による高精度の回路パターンを得る。【構成】 メンブレンの上方にX線吸収体、エッチングマスク、レジストの順に形成されたX線マスクにおいて、式dx/r≦de≦dl×a/100dx:X線吸収体の厚さr:X線吸収体に対するエッチングマスクの選択比dl:必要とされるX線吸収体のパターン寸法a:必要とされるX線吸収体のパターン精度(%)で決定したエッチングマスクの厚さdeを用いることにより、高精度なX線マスクを実現し、それを用いて、X線転写による高精度の回路パターンを得る。
請求項（抜粋）：
X線吸収体の上方に配置されたエッチングマスクとレジストを用いて前記X線吸収体のパターン形成を行うX線マスクの製造方法において、前記X線吸収体に対するエッチングマスクのエッチング選択比をr、エッチングマスクの厚さをde、前記X線吸収体の厚さをdx、必要とされるX線吸収体の、パターン寸法をdl、必要とされるX線吸収体のパターン精度をa(%)とすると、下記の式で記載される厚さdeを有するエッチングマスクを用いることを特徴とするX線マスクの製造方法。dx/r≦de≦dl×a/100
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 1/16
, H01L 21/3065
H01L 21/30 531 M
, H01L 21/302 H
, H01L 21/302 F
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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