特許

J-GLOBAL ID：200903019737988196

ハフニウム酸化膜形成用前駆体、ハフニウム酸化膜の形成方法、キャパシタ構造体、トランジスタ構造体及び電子素子

発明者： 李 正 賢 ,  ▼閃▲ ヨセプ ,  ▼曹▲ 永 眞
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292164
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104111
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】 ハフニウム酸化膜形成用前駆体及び前記前駆体を利用したハフニウム酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 四塩化ハフニウムと窒素化合物とが結合されたことを特徴とするハフニウム酸化膜形成用前駆体により、電気的特性を改善しつつ低温蒸着が可能であり、蒸着速度が向上して向上した段差被覆性を示すハフニウム酸化膜形成用前駆体、この前記前駆体を利用したハフニウム酸化膜の形成方法及び前記前記形成方法が得られる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

四塩化ハフニウムと窒素化合物とが結合されたことを特徴とするハフニウム酸化膜形成用前駆体。

IPC (10件)：

H01L21/316 ,  C07F7/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C23C16/40 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

FI (9件)：

H01L21/316 X ,  C07F7/00 Z ,  C23C14/08 F ,  C23C14/58 Z ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/04 C

Fターム (54件)：

4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  4H049VN07 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ41 ,  4H049VR33 ,  4H049VR51 ,  4H049VU24 ,  4H049VU36 ,  4H049VW02 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029GA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AV06 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA09 ,  5F058BC03 ,  5F058BF17 ,  5F058BF53 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083PR23 ,  5F140AA39 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122174   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション