前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122174
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060944
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CVD及びALDに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。【解決手段】 Li等の金属元素を含む、少なくとも1つの前駆化合物であり、前駆化合物に、水素化物等の元素を含む、少なくとも1つの前駆物質を含み、これが脂肪族炭化水素等の不活性液内に溶解、乳化または浮遊される。前駆原料混合物は、溶液、乳濁液または懸濁液であり、固相、液相及び気相の混合物から構成され、これらが混合物全体に渡り分散される。

請求項（抜粋）：

不活性液内に溶解、乳化または浮遊される少なくとも1つの前駆化合物を含む、前駆原料混合物であって、前記少なくとも1つの前駆化合物が、化学式【数式1】MR1xR2yAzを有し、ここでMがLi、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ti、Zr、Hf、Sc、Y、La、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、As、P、Sb及びBiを含むグループから選択される元素であり、R1及びR2が水素化物、アルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキン、カルボニル、アミド、イミド、ヒドラジド、リン化物、ニトロシル、ニトリル(nitryl)、硝酸塩、ニトリル(nitrile)、ハロゲン化物、アジド、アルコキシ、シロキシ、シリル及びこれらのハロゲン化、スルホン化、またはケイ化誘導体を含むグループから選択される、同一のまたは異なる配位子であり、Aがホスフィン、亜リン酸塩、アミン、アルシン、スチビン、エーテル、硫化物、ニトリル、イソニトリル、アルケン、ヒドラジン、ピリジン、窒素複素環式化合物、大環状分子、シッフ塩基、シクロアルケン、アルコール、ホスフィン酸化物、アルキリデン、亜硝酸塩、アルキン及び水を含むグループから選択される、任意の配位的に結合または会合される配位子であり、x≧1、x+y=元素Mの原子価であり、z≧0である前駆原料混合物。

IPC (13件)：

C23C 16/30 , C23C 16/18 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/283 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 21/768 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (11件)：

C23C 16/30 , C23C 16/18 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 21/283 B , H01L 21/285 C , H01L 21/31 B , H01L 21/90 A , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 27/04 C

Fターム (132件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA05 , 4K030BA10 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033SS11 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC16 , 5F038EZ20 , 5F045AA03 , 5F045AA15 , 5F045AB03 , 5F045AB31 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AF01 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045CA09 , 5F045CB05 , 5F045CB10 , 5F045DC63 , 5F048AC03 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BG14 , 5F103AA04 , 5F103DD16 , 5F103DD27 , 5F103DD28 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103LL01 , 5F103LL07 , 5F103LL11 , 5F103LL14 , 5F140AB03 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BH15 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (14件)

チタン錯体およびその合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-009797 出願人：東京応化工業株式会社
電極形成用CVD原料、およびそれを用いて形成されたキャパシタ用電極、配線膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-124726 出願人：三菱電機株式会社
フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292199 出願人：株式会社高純度化学研究所

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