特許

J-GLOBAL ID：200903019743648453

半導体装置の製造方法及び樹脂封止金型

発明者： ▲斎▼藤 武博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243303
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 上金型のキャビティと下金型のキャビティの深さが異なる金型を用いて半導体素子を樹脂封止する場合に、ボイド不良が発生するのを防ぐ。【構成】 上下金型6,7の可変部16を制御し、樹脂流れの遅い方の金型のキャビティを一時深くするか、または流れの速い方の金型のキャビティを一時浅くすることにより、上金型と下金型の樹脂の充填速度を一致させ、金型内の空気の巻き込みによるボイドの発生を防ぐ。

請求項（抜粋）：

対をなす上金型のキャビティ部と下金型のキャビティ部とを組合せて、半導体装置の外形を決定するキャビティを構成し、該キャビティ内に樹脂を充填して半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、樹脂充填中に、樹脂流れの遅い方の金型キャビティ部の底部を一時深くするか、または樹脂流れの速い方の金型キャビティ部の底部を一時浅くすることにより、樹脂充填を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/26 ,  B29C 45/56 ,  B29L 31:34

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-211642
  
• 特開平4-361537
  
• 樹脂モールド装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304284   出願人：株式会社山田製作所
• 特開平2-211642
  
• 特開平4-361537