金属配線及び金属抵抗を含む半導体素子並びにその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-145089
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343125
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】金属配線及び金属抵抗を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層110によって取り囲まれたCu層を含む下部配線210を形成し、絶縁層110上に下部配線210を覆って保護するキャップ層300を形成する半導体素子の製造方法である。キャップ層300に下部配線210の上面を選択的に露出させる開口窓301を形成し、開口窓301を通じて下部配線210の上面に接触する金属抵抗431’を形成する。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

絶縁層と、絶縁層によって取り囲まれたCu層を含む配線と、前記配線を覆って保護するキャップ層と、前記キャップ層に形成された開口窓を通じて前記配線の上面に接触し、前記キャップ層上に延びた金属抵抗と、を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L27/04

FI (4件)：

H01L27/04 P , H01L21/90 A , H01L21/88 M , H01L27/04 C

Fターム (35件)：

5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033TT01 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033XX09 , 5F038AC05 , 5F038AC17 , 5F038AR07 , 5F038AR13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-025828 出願人：株式会社リコー

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