特許
J-GLOBAL ID：200903061745525843

半導体装置の製造方法

発明者：
貴島 正人

貴島 正人 について

, 
山下 公彦

山下 公彦 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231891
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 金属薄膜抵抗体を搭載した半導体装置の製造方法において、簡便で、半導体装置の集積度を低下させることなく、かつ膜厚が薄い金属薄膜抵抗体を製造可能な製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に第1の層間絶縁膜3及びAl合金膜5を順に堆積する(A)。レジストマスク7を形成し、続いてドライエッチング又はウェットエッチングによりAl合金膜5の高抵抗配線領域部分にテーパー形状の開口部9を形成する(B)。レジストマスク7を除去した後、金属薄膜11を全面に堆積する(C)。レジストマスク13を形成し、続いてドライエッチングにより金属薄膜抵抗体11a、金属薄膜抵抗体11aの両端側に位置する低抵抗金属配線5a、他の回路の低抵抗金属配線5b及び薄膜金属パターン11bを形成する(D)。レジストマスク13を除去し、金属薄膜抵抗体回路の形成を完了する(E)。
請求項（抜粋）：
半導体素子を有する半導体基板上に、低抵抗金属配線に比べて高抵抗の金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置の製造方法において、絶縁膜上に低抵抗金属配線用の低抵抗金属膜を堆積した後、高抵抗領域となる部分の前記低抵抗金属膜をエッチングして金属薄膜抵抗体用の開口部を形成し、その開口部を含む半導体基板の全面に金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を堆積し、前記金属薄膜及び前記低抵抗金属膜を同一レジストマスクで異方性エッチングして前記金属薄膜抵抗体用の開口部に金属薄膜抵抗体を形成するとともに、抵抗素子部及び半導体素子部の低抵抗金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 27/04 P ,  H01L 21/88 F
Fターム (27件)：
5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH26 ,  5F033HH32 ,  5F033MM17 ,  5F033MM20 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV09 ,  5F033WW10 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F038AR07 ,  5F038AR12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 薄膜抵抗の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079929   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開昭55-071055
  • 特開昭55-071055

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