特許

J-GLOBAL ID：200903019750065072

磁気記録媒体

発明者： 二本 正昭 ,  稲葉 信幸 ,  平山 義幸 ,  竹内 輝明 ,  本多 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251237
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】耐熱揺らぎ特性を向上させることによって10Gb/in2以上の高密度記録で実用に供し得る新規の磁気記録媒体を提供する。【解決手段】Co合金磁性膜と接する下地膜をhcp構造を持つCo-Crx-My合金膜で形成し、Cr+非磁性元素Mの添加濃度を25at%≦x+y≦50at%とすると共にMの添加量を0.5at%≦yとし、更にMをB,Si,Ge,C,Al,P,Ti,V,Nb,Zr,Hf,Mn,Rh,Os,Ir,Re,Pd,Pt,Mo,Ta,W,Ag,Auのいずれかとする。別の手段は、磁性膜の中間に上記と同様の組成の極薄のCo-Crx-My合金膜を導入する。

請求項（抜粋）：

非磁性基板と、当該基板上に設けられた下地膜と、当該下地膜を介して形成されたCo合金磁性膜と、当該磁性膜を保護するための保護膜とからなる磁気記録媒体において、前記下地膜は、基板に接する下部下地膜とCo合金磁性膜に接する上部下地膜との2層構造をなし、当該上部下地膜は、六方稠密構造を持つCo-Crx-My合金膜であって、25at%≦x+y≦50at%,0.5at%≦yであり、かつ非磁性元素MがB,Si,Ge,C,Al,P,Ti,V,Nb,Zr,Hf,Mn,Rh,Os,Ir,Re,Pd,Pt,Mo,Ta,W,Ag及びAuからなる群から選ばれた元素であることを特徴とする磁気記録媒体。

Fターム (6件)：

5D006BB02 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006DA03 ,  5D006FA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-141763   出願人：株式会社日立製作所
• 面内磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037389   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204923   出願人：株式会社日立製作所