シリコン薄膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058014
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】パーティルの発生を防止しながら、微結晶シリコン膜を形成する。【構成】原料ガスとしてシランガス流量に対して水素ガス流量を40倍から200倍にし、かつ高周波電力密度を0.03W/cm2 から0.3W/cm2 の条件で間欠的な高周波放電で膜堆積する。微結晶シリコン膜形成時のパーティクルの発生量が1/30に減少した。

請求項（抜粋）：

高周波電力による放電を起こすオン期間と高周波電力を切り放電を休止するオフ期間とを繰り返すことで間欠的な放電を起こし膜堆積させるシリコン薄膜の形成方法において、原料ガスとしてシランガス流量に対して水素ガス流量を40倍から200倍にし、かつ高周波電力密度を0.03W/cm2から0.3W/cm2 の条件で堆積することでシリコン薄膜を微結晶化させることを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-145719
特開平2-159021
特開昭57-187935

全件表示

前のページに戻る