特許

J-GLOBAL ID：200903019787265772

配線形成方法

発明者： 岸井 貞浩 ,  大石 明良 ,  鈴木 隣太郎 ,  有本 由弘 ,  植田 成生 ,  塙 健三
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014902
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213698
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 配線形成方法に関し、配線パターン溝内に金属を埋め込んで配線を形成する場合、研磨剤の材料と洗浄剤の材料を適切に選択することで、砥粒が残ったり、配線の密着性が損なわれたり、溝内を埋める配線のシームが開いたりすることがないようにする。【解決手段】 配線パターン溝10Aが形成された層間絶縁膜10上にCu膜を形成し、CuOを砥粒とする研磨剤を用いて前記Cu膜を研磨して前記配線パターン溝10A内にCu配線11を形成する。

請求項（抜粋）：

配線パターン溝が形成された絶縁膜上にCu、W、Alなどの酸化可能な金属膜を形成する工程と、CuOを砥粒とする研磨剤を用いて前記金属膜を研磨して前記配線パターン溝内に金属配線を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-000220   出願人：富士通株式会社