特許
J-GLOBAL ID：200903054620921236
研磨方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186119
出願日： 1996年01月05日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 絶縁膜を研磨して平坦化する工程を含み、導体パターンに対しても、また絶縁膜に対してもMnO2 を砥粒とする研磨材を適用し、効率的に研磨するとともに、後処理工程を簡素化ことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 砥粒としてMnO2 を含む研磨材を使った研磨工程を含む半導体装置の製造方法において、構造中にSiとOのネットワークを含む絶縁層上に形成された段差を、前記MnO2 を含む研磨材を使って研磨することにより平坦化する工程を含む。
請求項（抜粋）：
砥粒としてMnO2 を含む研磨剤を使った研磨工程を含む半導体装置の製造方法において、前記研磨工程は、構造中にSiとOを含む絶縁層を、前記MnO2 を含む研磨剤を使って研磨することにより平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24D 3/00 320
H01L 21/304 321 P
, H01L 21/304 321 Z
, B24B 37/00 H
, B24D 3/00 320 Z
