特許

J-GLOBAL ID：200903019804356299

半導体作製方法および半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212061
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106948
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成される結晶性珪素膜であって、基板面内において均一な結晶性を有せしめる。【構成】 平坦なガラス基板上に成膜された非晶質の珪素膜を、加熱により結晶化させ、前記ガラス基板を、凸曲面を有する台の上に設置し、前記ガラス基板を、該ガラス基板の歪み点付近の温度にて、所定の時間加熱し、その後徐冷する。

請求項（抜粋）：

平坦なガラス基板上に成膜された非晶質の珪素膜を、加熱により結晶化させ、前記ガラス基板を、凸曲面を有する台の上に設置し、前記ガラス基板を、該ガラス基板の歪み点付近の温度にて、所定の時間加熱し、その後徐冷することを特徴とする半導体作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-224317
  
• 半導体作製方法および半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205379   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所