特許

J-GLOBAL ID：200903068169181046

半導体作製方法および半導体装置作製方法

発明者： 田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205379
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036374
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 基板面内において均一、かつ高い結晶性を有する半導体被膜を作製し、また、該膜を用いて、基板面内におけるしきい値電圧が均一な結晶性シリコンTFTを作製する。【構成】 ガラス基板上、またはガラス基板上に形成された酸化珪素膜上に、非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記ガラス基板の歪み点以上軟化点以下の温度において、前記ガラス基板を平坦化する工程と、前記珪素膜に対し、レーザーアニール処理を行う工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上、またはガラス基板上に形成された酸化珪素膜上に、非晶質の珪素膜を形成する工程と、前記ガラス基板の歪み点以上軟化点以下の温度において、前記ガラス基板を平坦化する工程と、前記珪素膜に対し、レーザーアニール処理を行う工程と、を有することを特徴とする半導体作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 加熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-256569   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-339397   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所