特許

J-GLOBAL ID：200903019806859824

化学気相蒸着工程を利用した超格子半導体構造を製造する方法。

発明者： 金 範 ▲俊▼ ,  金 英 敏 ,  申 詠 ▲徹▼
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245546
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。【解決手段】この超格子半導体構造は、工程チャンバ170内のサセプター130上に基板101を搭載する段階S1と;上記工程チャンバ内の上記サセプター上に互いに異なる領域に第1ソースと第2ソースガスA、Bを同時に供給し、互いに分離された第1ソースガス領域134と第2ソースガス領域136を形成する段階S3と;上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第1ソースガス領域と上記第2ソースガス領域を通過する段階を含む。【選択図】図5a

請求項（抜粋）：

工程チャンバ内のサセプター上に基板を搭載する段階; 上記工程チャンバ内の上記サセプター上の互いに異なる領域に第1ソースと第2ソースガスを同時に供給し、互いに分離された第1ソースガス領域と第2ソースガス領域を形成する段階; 上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第1ソースガス領域と上記第2ソースガス領域を通過する段階を含むことを特徴とする超格子半導体構造の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C30B 29/68 ,  C30B 29/40 ,  C30B 29/38

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C30B29/68 ,  C30B29/40 502D ,  C30B29/38 D

Fターム (51件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077BE47 ,  4G077DB08 ,  4G077DB13 ,  4G077EF05 ,  4G077EG14 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TG04 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ05 ,  4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA25 ,  4K030BA38 ,  4K030BA51 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DA54 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EF09 ,  5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国登録特許第6706585号公報
  

審査官引用 (4件)

• 薄膜形成方法および薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267076   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 気相成長装置および気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-106760   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭63-292620
  
• 特開昭63-292620