特許
J-GLOBAL ID：200903077176251075
気相成長装置および気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106760
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321045
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 原子層単位の平坦性、界面急峻性を持つ化合物半導体層を生産性良く成長させることができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。【構成】 成長室1は、円筒部1bと、円筒部1bの上流側端部を塞ぐ端面1aを有する。端面1aに、カチオン原料ガス供給口2と、アニオン原料ガス供給口3とが設けられる一方、円筒部1bの下流側に排気手段が設けられている。円筒部1b内に、基板保持面20を持つ基板ホルダ5が設けられている。ガス分離手段6は、各原料ガスの流路を互いに分離して、基板保持面20にそれぞれ各原料ガスが単独で供給される複数の原料ガス供給領域を形成する。駆動手段7は、基板保持面20に基板4がセットされた基板ホルダ5を、円筒部1bの中心線の周りに回転させる。基板4の表面にカチオン原料とアニオン原料ガスとを交互に供給する。
請求項（抜粋）：
成長室内で所定温度に保持された基板の表面に、カチオン原料ガスとアニオン原料ガスとを交互に供給して反応させて化合物半導体層を成長させる気相成長装置であって、上記成長室は、上流側から下流側へ一方向に延びる円筒部と、上記円筒部の上流側端部を塞ぐ端面を有し、上記端面の所定箇所に、上記円筒部内にカチオン原料ガスを供給するための原料ガス供給口と、上記円筒部内にアニオン原料ガスを供給するための原料ガス供給口とが設けられる一方、上記円筒部の下流側に上記円筒部内のガスを排気するための排気手段が設けられ、上記円筒部の上流側と下流側との間に、上記端面の複数の原料ガス供給口に対向する基板保持面を持つ基板ホルダが設けられ、上記各原料ガス供給口から上記基板保持面に至る上記各原料ガスの流路を互いに分離して、上記基板保持面にそれぞれ上記各原料ガスが単独で供給される複数の原料ガス供給領域を形成するガス分離手段と、上記基板保持面に基板がセットされた基板ホルダを、上記円筒部の中心線の周りに回転させる駆動手段を備えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, C30B 29/40 502
