半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346307
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162188
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】配線を覆って形成した層間絶縁膜を平坦化する工程でのCMP法による研磨量の低減と、CMP研磨による平坦化工程後におけるグローバル段差の低減と、層間絶縁膜の形成プロセスにおけるばらつきの低減とを図る。【解決手段】配線11は、アルミニウム等の金属またはポリシリコンに不純物をドープして形成した導電層からなり、全体の配線幅Wは例えば100μm程度であり、高さ(厚さ)は例えば1μm程度である。この配線11に、配線長さ方向に延びたスリット状の分割溝12を多数形成する。この分割溝12の幅は、例えば1μm程度であり、その間隔もまた1μm程度である。分割溝12の存在により、配線11上の領域のうち配線が存在する部分には小さな凸部が形成されるのみであり、分割溝12の上部領域はほぼ平坦となる。しかも、凸部の高さは、従来に比べて極めて小さく、CMP研磨量が少なくて済む。

請求項（抜粋）：

所定幅にパターニングされた配線と、この配線を覆うように形成されると共に、その表面が平坦化された層間絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記配線に所定形状の多数の分割溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 A , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

絶縁配線層の平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-255398 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-061686 出願人：日本電気株式会社
特開平4-092428

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