特許

J-GLOBAL ID：200903019834501382

半導体装置

発明者： 林 哲也 ,  村上 善則
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220603
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083907
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ノーマリ・オフ型で、制御性に優れ、低オン抵抗で、スイッチング速度および動作の信頼性を向上させ、さらに微細化、高耐圧化を図ることを目的とする。【構成】 ドレイン領域2である一導電型基体の主面に平行配置の複数の第1の溝とこれらに交差する第2の溝とを有し、第1、第2の溝に3方を囲まれた主面部に一導電型のソース領域3を有し、第1、第2の溝内にドレイン領域2と絶縁されソース領域3とは同電位の固定電位絶縁電極6を有し、ソース領域3からは離れドレイン領域2と固定電位絶縁電極6に接する反対導電型のインジェクタ領域8を有し、固定電位絶縁電極6に挟まれたドレイン領域2の一部であってインジェクタ領域8とソース領域3が同電位状態では空乏領域の形成するポテンシャル障壁によりソース領域3とドレイン領域2間をオフ状態とするチャネル領域を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に臨んで互いに平行に配置された複数の第1の溝を有し、前記複数の第1の溝と交差する第2の溝を有し、前記主面に臨んで前記第1の溝と第2の溝に3方を囲まれた領域に一導電型のソース領域を有し、前記第1の溝と第2の溝の内部には絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁され、かつ前記ソース領域とは同電位に保たれる固定電位絶縁電極を有し、前記固定電位絶縁電極は前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料からなり、前記ソース領域には接しないで、かつ前記ドレイン領域ならびに各前記絶縁膜に接する反対導電型のインジェクタ領域を有し、前記ソース領域に隣接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極に挟まれ、前記インジェクタ領域の電位が前記ソース領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記空乏領域の形成するポテンシャル障壁によって前記ソース領域と前記ドレイン領域間を電気的に遮断状態とするチャネル領域を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033419   出願人：日産自動車株式会社