特許
J-GLOBAL ID：200903019854994300

半導体装置の製造方法

発明者：
島田 雅夫

島田 雅夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182997
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 個々に分離された半導体素子(ペレット)を剥離し易くし、かつ面積の大きなペレットでも容易に剥離する。【解決手段】 ガリウム砒素半導体基板2の表面側に多孔質の石英基板3をフォトレジスト5を介して張り合せ、多孔質の石英基板3に補助基板としての石英基板4を低融点ワックス6を介して張り合わせる。次に、露出しているガリウム砒素半導体基板2の裏面を研磨等することにより、ガリウム砒素半導体基板2の板厚を薄肉化する。次に、スクライブ線Bに沿って半導体基板2を除去して、Auメッキ層7をもつ半導体素子(ペレット)1,・・・に個々に分離するとともに、スクライブ線Bの部分にフォトレジスト5を露出させた後、石英板4を150〜190°Cに加熱して低融点ワックス6を溶融し、石英板4を多孔質石英板3から剥離する。次に、ガリウム砒素基板2を有機溶剤に浸漬して、多孔質石英板3より有機溶剤を半導体基板2と多孔質石英板3との張合面に浸透させ、フォトレジスト5を溶解させて、ペレット1を石英板3から分離する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の半導体素子が形成された表面側に多孔質材を張り付ける工程と、前記半導体基板の表面側に張り付けた前記多孔質材に補助基板を張り付ける工程と、前記半導体基板の裏面を加工し、該半導体基板の板厚を薄肉化する工程と、前記多孔質材から前記補助基板を剥離する工程と、前記多孔質材の板面から溶剤を前記半導体基板と前記多孔質材との張合面に浸透させて、前記半導体基板から前記多孔質材を剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/304 622
FI (2件)：
H01L 21/78 S ,  H01L 21/304 622 J
引用特許：
審査官引用 (5件)
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