薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277290
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106596
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】レーザ照射法による、特性ばらつきの小さい、高性能薄膜トランジスタの製造。【構成】石英基板上1に固相成長法又はプラズマCVD法により多結晶シリコン膜を形成し、XeClエキシマレーザを、活性層裏面のシリコン膜を溶融させないで表面のシリコン膜は溶融させるエネルギー密度で照射し、溶融した多結晶シリコンを再結晶化させる。照射面側の結晶シリコンが溶融し、溶融しない多結晶シリコンを核として、再結晶化するようなレーザのエネルギー密度を選択する事により、特性ばらつきの小さい高性能薄膜トランジスタが製造できる。さらに、裏面側からの照射を行うことにより、表面側からの照射では改質できない、多結晶シリコン下地側の領域の膜質向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に多結晶シリコン膜を形成し、この多結晶シリコン膜にレーザ照射し溶融させて再結晶化させる際に、レーザ照射面側を溶融させかつレーザ照射面と反対側は溶融しない多結晶シリコンが存在するエネルギー密度で、レーザ照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-072615
半導体層のアニール処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-268467 出願人：ソニー株式会社
特開昭56-029321

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