特許
J-GLOBAL ID：200903078484195190
半導体層のアニール処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082466
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、基板側から半導体層へのエキシマレーザ光の照射を可能にして、エキシマレーザ光を半導体層の両面側より照射することにより、厚い半導体層のアニール処理を可能にし、大粒径の半導体層の形成を図る。【構成】 第1の工程で紫外線透過性基板11の上面に半導体層13を形成し、その後第2の工程で半導体層13の上面側よりエキシマレーザ光20を半導体層13に照射して半導体層13の上層をアニール処理するとともに、紫外線透過性基板11の下面側よりエキシマレーザ光21を半導体層13に照射して半導体層13の下層をアニール処理することにより、半導体層13を厚さ方向の全域にわたってアニール処理する。
請求項（抜粋）：
紫外線透過性基板の上面に半導体層を形成する第1の工程と、前記半導体層の上面側と前記紫外線透過性基板の下面側との両方向よりエキシマレーザ光を当該半導体層に照射して、当該半導体層をアニール処理する第2の工程とによりなる半導体層のアニール処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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