特許

J-GLOBAL ID：200903019887203251

パターン検査方法及び装置

発明者： 恒岡 正年
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321058
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148031
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成されたパターンの欠陥検査を高精度且つ短時間で行うことができ、殊に、素子のパターン疎密の境界部に対しても、欠陥の検出感度及び検査精度の低下を十分に防止できるパターン検査方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明のパターン検査方法では、まず、基板表面の所定領域のSEM画像を取得した後、そのSEM画像内のパターン密度(疎密)の判定を行なう。次に、この判定結果に基づいて、そのSEM画像をパターン密度に応じた複数の画像領域に分割する。そして、これらの複数の各領域に対する欠陥識別及び欠陥分類に適したパラメータを、予め用意しておいた複数のパラメータのなかから選択する。そして、選択されたパラメータを用いて、各領域の欠陥識別と欠陥分類とを実施する。

請求項（抜粋）：

走査型電子顕微鏡より基板上に電子ビームを照射して前記基板表面の画像を生成し、該画像データに基づいて前記基板上に形成されたパターンの欠陥を検査するパターン検査方法であって、前記パターンの欠陥検査に用いる複数のパラメータを予め用意し、前記基板表面の所定領域の第1の画像を取得し、前記第1の画像に基づいて前記所定領域におけるパターンの疎密を判定叉は判別し、前記判定の結果に基づいて前記第1の画像を前記パターンの疎密に応じた複数の第2の画像に分割し、前記複数の第2の画像に対して前記パターンの疎密に応じたパラメータを前記複数のパラメータから選択し、前記選択された各パラメータを用いて前記各第2の画像を処理することにより前記所定領域のパターンの欠陥解析を行うパターン検査方法。

IPC (6件)：

G01B 15/00 ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  G06T 1/00 305 ,  G06T 7/00 300 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

G01B 15/00 B ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  G06T 1/00 305 A ,  G06T 7/00 300 E ,  H01L 21/66 J

Fターム (53件)：

2F067AA03 ,  2F067AA25 ,  2F067AA51 ,  2F067AA62 ,  2F067BB02 ,  2F067CC17 ,  2F067EE10 ,  2F067GG06 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067NN02 ,  2F067PP12 ,  2F067RR01 ,  2F067RR04 ,  2F067RR30 ,  2F067RR35 ,  2F067RR41 ,  2F067SS02 ,  2F067SS13 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA11 ,  2G001JA13 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB20 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ20 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057BA24 ,  5B057CC03 ,  5B057DA03 ,  5B057DA07 ,  5B057DA08 ,  5B057DC16 ,  5B057DC32 ,  5L096BA03 ,  5L096CA04 ,  5L096FA06 ,  5L096JA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-126242
  
• 半導体素子の欠陥検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-340576   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭60-103616