半導体素子の欠陥検査方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340576
公開番号（公開出願番号）：特開平7-159337
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】容易にしかも確実に欠陥信号の抽出を行うことができる半導体素子の欠陥検査方法を提供すること。【構成】予め、半導体素子1の面内における素子領域2およびパッド領域3の配置情報を記憶しておき、半導体素子1の画像を取り込んだ後に記憶しておいた配置情報に基づいてその画像を素子領域2やパッド領域3毎に分割し、次いで、分割された画像毎に個々の信号処理を行って欠陥10の信号をそれぞれ抽出する欠陥検査方法である。また、分割された画像毎に欠陥10の信号を抽出した後、各欠陥10の信号のみを素子領域2やパッド領域3の配置に対応させて表示するようにした欠陥検査方法でもある。

請求項（抜粋）：

所定領域内にパターンを形成して成るパターン領域が面内に複数配置された半導体素子の欠陥の検査方法であって、予め、前記半導体素子の面内における前記パターン領域各々の配置情報を記憶しておき、前記半導体素子の画像を取り込んだ後、記憶しておいた前記配置情報に基づいて該画像を各パターン領域毎に分割し、次いで、分割された各画像毎に個々の信号処理を行って前記欠陥の信号をそれぞれ抽出することを特徴とする半導体素子の欠陥検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/88 , G01B 11/24 , G06T 7/00

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-236406
特開昭61-028809
特開平1-180404

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