特許
J-GLOBAL ID：200903019892027976

薄膜コンデンサ、薄膜コンデンサ内蔵基板および薄膜コンデンサの製造方法

発明者：
菊池 克

菊池 克 について

, 
渋谷 明信

渋谷 明信 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223362
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】薄膜コンデンサおよびその内蔵基板において、上部電極と下部電極の短絡を防止し、多層配線の形成を容易とし、さらに、製造プロセスの簡略化を図るとともに、誘電体層の品質劣化を防止すること。【解決手段】下部電極13を埋め込むように絶縁層12を形成し、この絶縁層12中に下部電極13に達する凹部を設ける。この凹部の内部に、下部電極を覆う誘電体層14および上部電極15を埋め込むように形成する。
請求項（抜粋）：
下部電極と、該下部電極を埋め込むように形成され該下部電極に達する凹部の設けられた絶縁層と、該凹部の内部に形成され該下部電極を覆う誘電体層と、該誘電体層の上に形成された上部電極とを備えたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (4件)：
H01G 4/33 ,  H01G 4/12 427 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/16
FI (4件)：
H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12 427 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/16 D
Fターム (41件)：
4E351AA01 ,  4E351AA06 ,  4E351BB03 ,  4E351BB04 ,  4E351BB26 ,  4E351BB32 ,  4E351BB33 ,  4E351BB35 ,  4E351CC01 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD10 ,  4E351DD20 ,  4E351DD42 ,  4E351DD43 ,  4E351GG09 ,  4E351GG20 ,  5E001AB06 ,  5E001AC04 ,  5E001AC09 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ01 ,  5E001AZ01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC36 ,  5E082EE13 ,  5E082EE18 ,  5E082EE19 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG44 ,  5E082KK01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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