特許
J-GLOBAL ID：200903041860297500
MIMキャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332541
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289287
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 STOキャパシタにおいて、STOからなる誘電体層121と、該誘電体層上の上部電極123との密着性を向上するとともに、該誘電体層と上部電極との間の界面特性を熱的に安定なものとして、昇温プロセスによるリーク電流の増大を小さく抑える。【解決手段】 MIMキャパシタ120の誘電体層121を、通常半導体装置に採用されている酸化シリコンや窒化シリコンなどに比べて比誘電率が高いSTO(SrTiO3)により構成し、該誘電体層上の上部電極123を、前記誘電体層表面上に形成されたPt層と、該Pt層上に形成されたTi層と、該Ti層上に形成されたAu層とからなる3層構造とした。
請求項（抜粋）：
下部電極と上部電極との間に誘電体層を挟持してなるMIMキャパシタであって、該誘電体層は、高誘電体であるSrTiO3から構成されており、該誘電体層上にこれと密着して設けられている上部電極は、該誘電体層表面上に形成されたPt層と、該Pt層上に形成されたTi層とを含む多層構造となっているMIMキャパシタ。
IPC (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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