特許
J-GLOBAL ID：200903019895880114

半導体集積回路

発明者：
塩田 哲義

塩田 哲義 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186565
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 従来の2つの方法は、しきい値のばらつき補正と待機時リーク電流の低減の、それぞれに対して有効であるが、トランジスタのウェル電位を異なる手段で制御しているため、同時に施すことができない。【解決手段】 半導体基板上のウェルに形成されたトランジスタのしきい値を検出するしきい値検出回路と、検出されたしきい値に応じてスイッチ切換え用の制御信号を発生する制御信号発生回路と、制御信号によってスイッチングして、異なる電圧の複数の電源のウェルへの接続/切断を行うスイッチ回路とを有する。このように検出したしきい値に応じてスイッチ回路を制御しウェルと電源との接続/切断を行うため、ウェル電位を所望の値に制御して所望のしきい値を得ることができ、しきい値のばらつきを補正することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上のウェルに形成された複数のトランジスタを含む内部回路と、上記トランジスタのしきい値を検出するしきい値検出回路と、検出されたしきい値に応じてスイッチ切換え用の制御信号を発生する制御信号発生回路と、上記制御信号によってスイッチングして、異なる電圧の複数の電源の上記ウェルへの接続/切断を行うスイッチ回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (7件)：
H03K 17/04 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 17/30 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/094 ,  H03K 19/0948
FI (6件)：
H03K 17/04 F ,  H03K 17/30 E ,  H01L 27/08 321 L ,  H03K 19/00 101 A ,  H03K 19/094 D ,  H03K 19/094 B
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 基板バイアス回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291481   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開平3-290894
審査官引用 (2件)
  • 基板バイアス回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291481   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 特開平3-290894

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